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NCP367DPMUECTBG电源控制器,监视器中文资料
2023-12-26 727 次浏览 飞弛宏

NCP367DPMUECTBG电源控制器,监视器中文资料

技术参数品牌:ONSEMI型号:NCP367DPMUECTBG封装:NA批号:18+ROHS数量:8000制造商:ON Semiconductor产品种类:电池管理RoHS:是电池类型:Li-Ion输出电压:30 V输出电流:2.8 A工作电源电压:1.2 V to 28 V工作电源电流:35 uA最小工作温度:- 4...

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MC33340DG电池充电器芯片中文资料
2023-12-26 543 次浏览 飞弛宏

MC33340DG电池充电器芯片中文资料

MC33340和MC33342是单片控制IC专门设计为镍镉快速充电控制器(NiCd)和镍氢(NiMH)电池。这些设备以负斜率电压检测为主要手段充电终止。通过输出确保准确检测瞬时中断充电电流以获得精确电压取样。另一种辅助备份终止方法可以选择由可编程时间或温度组成的限度保护功能包括电池过电压和欠电压检测、锁存过温检测和电源...

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IRFP4110PBF汽车芯片中文参数
2023-12-26 907 次浏览 飞弛宏

IRFP4110PBF汽车芯片中文参数

技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IRFP4110PBF封装:N/A批号:2123+数量:210494制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:1...

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AUIRS21814STR汽车栅极驱动 IC中文资料
2023-12-26 1004 次浏览 飞弛宏

AUIRS21814STR汽车栅极驱动 IC中文资料

技术参数品牌:infineon型号:AUIRS21814STR批号:21+数量:16000类别:集成电路(IC) PMIC - 栅极驱动器制造商:Infineon Technologies驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET电压 - 供电:10V ~ 20V逻辑电压 - ...

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