• 全球电子元器件网上采购平台
24小时在线客服
24小时热线电话

添加微信咨询
    当前位置: 首页 > 新闻动态 > SZESD7551N2T5G贴片三极管ON(安森美)中文资料 >

SZESD7551N2T5G贴片三极管ON(安森美)中文资料

2023-03-22 次浏览 飞弛宏

图片.png

ESD7551设计用于保护电压敏感元件需要ESD和瞬态电压的超低电容事件。出色的箝位能力,低电容,低泄漏,和快速响应时间,使这些部件成为ESD保护的理想选择董事会空间非常宝贵的设计。因为它很低电容,该部件非常适合用于高频设计例如USB 2.0高速和天线线路应用。
特征
•超低电容(最大0.35 pF)
•低箝位电压
•支座V电压:3.3 V
•低泄漏
•响应时间<1 ns
•低动态电阻<1W
•以下标准的保护:IEC 61000−4−2(4级)和ISO 10605
•汽车和其他需要唯一的应用程序的SZ前缀现场和控制变更要求;AEC−Q101合格且PPAP能力
•这些设备不含Pb−、无卤素/BFR且符合RoHS标准顺从的
典型应用
•射频信号ESD保护
•射频开关、PA和天线ESD保护
•近场通信

ESD7551设计用于保护电压敏感元件需要ESD和瞬态电压的超低电容事件。出色的箝位能力,低电容,低泄漏,和快速响应时间,使这些部件成为ESD保护的理想选择董事会空间非常宝贵的设计。因为它很低电容,该部件非常适合用于高频设计例如USB 2.0高速和天线线路应用。




leave a comment