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NTR4003NT3G电子管场效应管-行业资讯

2023-12-29 次浏览 飞弛宏

NTR4003NT3G.png

技术参数

品牌:ON
型号:NTR4003NT3G
封装:SOT-23-3
批号:21+
数量:40000
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:560 mA
Rds On-漏源导通电阻:1.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:4 V
Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV
Qg-栅极电荷:1.15 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:690 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
高度:0.94 mm
长度:2.9 mm
系列:NTR4003N
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:1.3 mm
正向跨导 - 最小值:0.33 S
下降时间:64.2 ns
上升时间:47.9 ns
典型关闭延迟时间:65.1 ns
典型接通延迟时间:16.7 ns
单位重量:8 mg

特征

  • 低栅极电压阈值(VGS(TH)),以促进驱动电路设计
  • 用于快速切换的低栅极电荷
  • ESD保护门
  • SOT−23封装提供卓越的热性能最小击穿电压额定值为30 V
  • 汽车和其他需要NVR前缀的应用独特的现场和控制变更要求;AEC−第101季度合格且具备PPAP能力
  • 这些设备不含铅,符合RoHS标准

应用

  • 笔记本
  • 移位器
  • 逻辑开关
  • 低侧负载开关
  • 便携式应用程序



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