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| 品牌： | ON 安森美 |
| 型号： | FDS8858CZ |
| 封装： | SOP8 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 15000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
| 制造商： | onsemi |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 类型： | N 和 P 沟道 |
| FET 功能： | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）： | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 8.6A，7.3A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 17 毫欧 @ 8.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 24nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 1205pF @ 15V |
| 功率 - 最大值： | 900mW |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
这些双N和PCharnel增强型功率MOSFET是使用ONSemiconductor的先进PawerTrench工艺生产的，该工艺经过专门定制，可最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。这些设备非常适合低功耗和电池供电的应用，这些应用需要低输入功率损耗和快速冷却。
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