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| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | IPD30N03S2L-20 |
| 封装： | SOT252 |
| 批次： | 20+ |
| 数量： | 5350 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 30 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 14.5 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷： | 19 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 60 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 2.3 mm |
| 长度： | 6.5 mm |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 6.22 mm |
| 下降时间： | 10 ns |
| 上升时间： | 15 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 19 ns |
| 典型接通延迟时间： | 5 ns |
| 零件号别名： | IPD30N03S2L20ATMA1 SP000254466 IPD3N3S2L2XT IPD30N03S2L20ATMA1 |
| 单位重量： | 4 g |
特征
•N通道逻辑电平-增强模式
•汽车AEC Q101合格
•MSL1最高260°C峰值回流
•175°C工作温度
•绿色包装（无铅）
•超低Rds（on）
•100%雪崩测试
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