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MT53E256M16D1DS-046 AAT:B

现货
  • 库存: 13060
  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • IC DRAM LPDDR4 WFBGA
  • 飞弛宏电子元件现货为您提供Micron Technology Inc.设计生产的MT53E256M16D1DS-046 AAT:B存储器,现有足量库存。MT53E256M16D1DS-046 AAT:B的封装/规格参数为:-;同时飞弛宏现货为您提供MT53E256M16D1DS-046 AAT:B存储器数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有存储器详细使用方法及教程。

制造商零件编号: MT53E256M16D1DS-046 AAT:B
描述: IC DRAM LPDDR4 WFBGA
制造商: Micron Technology Inc.
库存: 13060
系列: Automotive, AEC-Q100
存储器类型: 易失
存储器格式: DRAM
技术: SDRAM - Mobile LPDDR4
存储容量: 4Gb(256M x 16)
存储器接口: -
时钟频率: 2.133 GHz
写周期时间 - 字,页: -
访问时间: -
电压 - 供电: 1.1V
工作温度: -40°C ~ 105°C(TC)
安装类型: -
封装/外壳: -
供应商器件封装: -
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