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AS4C4M16SA-6TIN

现货
  • 库存: 32013
  • 制造商: Alliance Memory, Inc.
  • IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
  • 飞弛宏电子元件现货为您提供Alliance Memory, Inc.设计生产的AS4C4M16SA-6TIN存储器,现有足量库存。AS4C4M16SA-6TIN的封装/规格参数为:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽);同时飞弛宏现货为您提供AS4C4M16SA-6TIN存储器数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有存储器详细使用方法及教程。

制造商零件编号: AS4C4M16SA-6TIN
描述: IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
制造商: Alliance Memory, Inc.
库存: 32013
系列: -
存储器类型: 易失
存储器格式: DRAM
技术: SDRAM
存储容量: 64Mb(4M x 16)
存储器接口: 并联
时钟频率: 166 MHz
写周期时间 - 字,页: 2ns
访问时间: 5.4 ns
电压 - 供电: 3V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装: 54-TSOP II
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